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6月28日上午，由国家发改委立项支持、中国科学院高能物理研究所承担建设的高能同步辐射光源（GEPS）首台科研设备在北京安装，这一大科学装置建成以后，将会是中国首个高能量同步辐射光源，成为世界上亮度最高的第四代同步辐射光源之一。
高能同步辐射光源面临众多世界级的挑战，但是在我国科研人员的努力之下，已经实现一批关键技术的突破，如今更是从样机阶段进入了批量生产阶段，大部分系统进入批量批量研制，前端也即将转入设备安装环节。
截至年6月底，高能同步辐射光源建安工程约完成总工程量的70%，设备采购完成合同额的29%，据相关预测，年初，主要建筑单体交付使用，年9月开始运行高能同步辐射光源计划，并于年底建成提交国家验收申请，届时，高能同步辐射光源将全面转入设备安装阶段。
我国新建的高能同步辐射装置的特点是高能量和高亮度，提供高亮度的硬X射线，同时满足国家安全和工业核心创新能力发展的研究需求和基础科学前沿研究的需求。我国的高能同步辐射光源建成之后，将与世界正在运行的美国先进光子源、欧洲同步辐射装置、日本的Spring-8以及德国的PETRA一起，共同构成世界五大高能同步辐射光源。
中国科学院院士、中科院高能所所长王贻芳表示：我们的目标不仅仅是要实现国产化，而且要达到国际领先水平，成为反制卡脖子的手段，使得一批企业占领国际市场。他认为，这需要高端需要的牵引，研发能力的提升以及研发人才的培养。
国内首台0.01nm光镜镀膜机投入使用！无独有偶，好事成双，就在国内首台高能同步辐射光源科研设备开始安装之时，中科科仪旗下的中科科美便传来好消息，其研制的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置与年6月28日正式投入使用。
直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置可实现各类高能物理装置，还可以满足大多数物理镜头对膜层制备的工艺需求，比如聚焦镜、单色镜、劳埃镜以及纳米聚焦镜，还有可用于EUV光刻机当中的光镜头。而EUV光刻机是制造芯片的核心设备，若是没有光刻机，那就别想制造出芯片了，所以说直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置的成功研制，使得光刻机当中的光镜头的制造容易了许多。
由于EUV光刻机镜头制作十分艰难，所以目前全球也只有德国的蔡司才能生产，而且蔡司中也仅仅只有20名左右的工程师能够达到制备EUV光刻机镜头的。EUV光刻机镜头是面向更高制程、更多数量的硅基晶体管芯片的，EUV光刻机对于镜头的镜面光洁度有着极高的要求，即镜面光洁度不得超过50皮米，这个数字说出来容易，但是做起来可谓是极其艰难，不亚于将一个省份推平，并且平均高度不得超过5厘米，由此可见，想要将光刻机制造出来是多么困难的事。
但是现在就变得容易多了，中科科仪已经可以使用真空镀膜设备将膜厚精度控制在0.1nm（皮米）以内，实现高精度纳米量级万层镀膜工艺，对于光刻机的镜头制备有着极大的作用，可以提高我国光刻机镜头的水准，我国将能够实现先进制程芯片自主化生产的目标。
EUV光刻机三大核心部件全部攻克，高端芯片制程不是梦！EUV光刻机主要分为三大核心部件，即EUV光源、EUV光学镜头以及双工件台。目前我国已经将两项攻克完成，EUV光学镜头目前正在攻克之中，而且中科科仪已经可以使用真空镀膜设备将膜厚精度控制在0.1nm（皮米）以内，实现高精度纳米量级万层镀膜工艺，EUV光学镜头将不是问题，等到EUV光刻机三大核心部件全部攻克，高端芯片制程不是梦。
之前我国的芯片企业一直受到国外的制约，因为处处受制于人，所以损失也就比较大，这都是源于我国在先进的芯片制造设备缺乏，又不能研制出先进的设备，所以，极为无奈又被动。
如今，只要等到EUV光刻机三大核心部件全部攻克，那么就能和过去受制于人的日子说再见了，中国的芯片必然要崛起，相信这一天的到来不会太远。
写在最后两项重大科研突破，为我国的芯片事业的发展直接加上了核动力，定然会加速推动我国的芯片事业的发展进程，假以时日，未必不能赶超世界的先进水平。对于我国芯片事业的发展前景，诸位有什么看法，欢迎留言！
